recherche de livres
livres
recherche d'articles
articles
Faire un don
S'identifier
S'identifier
les utilisateurs autorisés sont disponibles :
recommandations personnelles
Telegram bot
historique de téléchargement
envoyer par courrier électronique ou Kindle
gestion des listes de livres
sauvegarder dans mes Favoris
Personnel
Requêtes de livres
Recherche
Revues
La participation
Faire un don
Litera Library
Faire un don de livres papier
Ajouter des livres papier
Ouvrir LITERA Point
Volume 39; Issue 8
Main
Solid-State Electronics
Volume 39; Issue 8
Solid-State Electronics
Volume 39; Issue 8
1
Optimizing high voltage bipolar transistors in a smart-power complementary BiCMOS technology
R. Ryter
,
R. Zingg
,
W. Fichtner
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 701 KB
Vos balises:
english, 1996
2
Ion implantation and secondary ion mass spectrometry of compound semiconductors
R.G. Wilson
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 920 KB
Vos balises:
english, 1996
3
Electron drift velocity versus electric field in III–V semiconductors
Amlan Majumdar
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 125 KB
Vos balises:
english, 1996
4
An analytical model of the breakdown voltage and minimum epi layer length for RESURF pn diodes
Seung-Youp Han
,
Jong-Min Na
,
Yearn-Ik Choi
,
Jin-Cheol Shin
,
Sang-Koo Chung
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 180 KB
Vos balises:
english, 1996
5
Expressions for the chemical potential in metals and other highly degenerate materials
Chris L. Chua
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 204 KB
Vos balises:
english, 1996
6
C-V and G-V characterization of in-situ fabricated Ga2O3GaAs interfaces for inversion/accumulation device and surface passivation applications
M. Passlack
,
M. Hong
,
J.P. Mannaerts
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 320 KB
Vos balises:
english, 1996
7
Study of 1f noise in InP grown by CBE
X.Y. Chen
,
M.R. Leys
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 421 KB
Vos balises:
english, 1996
8
Low-temperature impurity breakdown in semiconductors: An approach towards efficient device simulation
R.E. Kunz
,
E. Schöll
,
R. Nürnberg
,
H. Gajewski
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 1.04 MB
Vos balises:
english, 1996
9
Characteristics of functional heterostructure-emitter bipolar transistors (HEBTs)
Kong-Beng Thei
,
Jung-Hui Tsai
,
Wen-Chau Liu
,
Wen-Shiung Lour
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 454 KB
Vos balises:
english, 1996
10
A compact CAD model for amorphous silicon thin film transistors simulation—I. d.c. analysis
G. Merckel
,
A. Rolland
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 821 KB
Vos balises:
english, 1996
11
A compact CAD model for amorphous silicon thin film transistors simulation—II. Transient non-quasi-static analysis
G. Merckel
,
A. Rolland
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 410 KB
Vos balises:
english, 1996
12
Contactless characterization of the recombination process in silicon wafers: Separation between bulk and surface contribution
R. Bernini
,
A. Cutolo
,
A. Irace
,
P. Spirito
,
L. Zeni
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 740 KB
Vos balises:
english, 1996
13
Temperature dependence confirmation of tunneling through 2–6 nm silicon dioxide
P. Lundgren
,
M.O. Andersson
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 520 KB
Vos balises:
english, 1996
14
Hydrodynamic device simulation using new state variables tailored for a block Gummel iterative approach
Wenchao Liang
,
D.C. Kerr
,
N. Goldsman
,
I.D. Mayergoyz
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 746 KB
Vos balises:
english, 1996
15
Numerical simulation of transconductance in SiSiGep-MOSFETs
A.D. Sadovnikov
,
A. Nathan
,
T. Manku
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 465 KB
Vos balises:
english, 1996
16
Numerical analysis of a new vertical IGBT structure with reduced JFET effect
Chong-Man Yun
,
Doo-Young Kim
,
Min-Koo Han
,
Yearn-Ik Choi
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 439 KB
Vos balises:
english, 1996
17
Growth and characterization of AlGaAsGaAs heterojunction bipolar transistor on GaAs (111)B substrate by molecular beam epitaxy
Tsuen-Lin Lee
,
Wen-Ding Chu
,
Hao-Hsiung Lin
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 662 KB
Vos balises:
english, 1996
18
A simple d.c. based method for monitoring transistor capacitance
K. Joardar
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 515 KB
Vos balises:
english, 1996
19
Time of flight analysis of charge transport in insulators for a finite width charge packet with trapping
N.R. Mirchina
,
A. Peled
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 608 KB
Vos balises:
english, 1996
20
A velocity-overshoot capacitance model for 0.1 μm MOS transistors
J.B. Kuo
,
Y.W. Chang
,
C.S. Lai
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 515 KB
Vos balises:
english, 1996
21
A two-dimensional analytical model of homojunction GaAs BMFET structures
S. Bellone
,
N. Rinaldi
,
G.F. Vitale
,
G. Cocorullo
,
G. Schweeger
,
H.L. Hartnagel
Journal:
Solid-State Electronics
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 852 KB
Vos balises:
english, 1996
1
Suivez
ce lien
ou recherchez le bot "@BotFather" sur Telegram
2
Envoyer la commande /newbot
3
Entrez un nom pour votre bot
4
Spécifiez le nom d'utilisateur pour le bot
5
Copier le dernier message de BotFather et le coller ici
×
×
