Electrical Properties of n-GaN/p-SiC and n-AlGaN/p-SiC...

MRS Proceedings 2001 / 1 Vol. 693

Electrical Properties of n-GaN/p-SiC and n-AlGaN/p-SiC Heterojunction Diodes

Luo, B., Kim, J., Mehandru, R., Ren, F., Lee, K. P., Pearton, S.J., Polyakov, A.Y., Smirnov, N.B., Govorkov, A.V., Kozhukhova, E.A., Osinsky, A.V., Norris, P.E.
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Volume:
693
Langue:
english
Journal:
MRS Proceedings
DOI:
10.1557/proc-693-i6.8.1
Date:
January, 2001
Fichier:
PDF, 206 KB
english, 2001
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