Initial stage of SiC film growth on Si(111)7×7 and...

Thin Solid Films 2000 Vol. 369; Iss. 1-2

Initial stage of SiC film growth on Si(111)7×7 and Si(100)2×1 surfaces using C60 as a precursor studied by STM and HRTEM

S Suto, C.-W Hu, F Sato, M Tanaka, Y Kasukabe, A Kasuya
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Volume:
369
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/s0040-6090(00)00820-8
Fichier:
PDF, 637 KB
english, 2000
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