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Refined Conformal Mapping Model for MOSFET Parasitic...

IEEE Transactions on Electron Devices 2015 / 3 Vol. 62; Iss. 3

Refined Conformal Mapping Model for MOSFET Parasitic Capacitances Based on Elliptic Integrals

Hiblot, Gaspard, Rafhay, Quentin, Boeuf, Frederic, Ghibaudo, Gerard
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Volume:
62
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
DOI:
10.1109/ted.2015.2388788
Date:
March, 2015
Fichier:
PDF, 1.36 MB
english, 2015
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