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An Improved Quasi-Saturation and Charge Model for SOI-LDMOS...

IEEE Transactions on Electron Devices 2015 / 3 Vol. 62; Iss. 3

An Improved Quasi-Saturation and Charge Model for SOI-LDMOS Transistors

Prasad, Nitin, Sarangapani, Prasad, Nikhil, Krishnan Nadar Savithry, DasGupta, Nandita, DasGupta, Amitava, Chakravorty, Anjan
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Volume:
62
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
DOI:
10.1109/TED.2015.2388554
Date:
March, 2015
Fichier:
PDF, 2.50 MB
english, 2015
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