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Analysis of junctions formed in strained Si/SiGe substrates

MRS Proceedings 2004 / 1 Vol. 809

Analysis of junctions formed in strained Si/SiGe substrates

Eneman, G., Simoen, E., Lauwers, A., Lindsay, R., Verheyen, P., Delhougne, R., Loo, R., Caymax, M., Meunier-Beillard, P., Demuynck, S., Meyer, K. De, Vandervorst, W.
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Volume:
809
Langue:
english
Journal:
MRS Proceedings
DOI:
10.1557/PROC-809-B6.4
Date:
January, 2004
Fichier:
PDF, 375 KB
english, 2004
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