Effect of Carbon on Diffusion of Boron in SiGe between 940...

MRS Proceedings 2004 / 1 Vol. 809

Effect of Carbon on Diffusion of Boron in SiGe between 940 – 1050 °C

Karunaratne, Mudith S. A., Bonar, Janet M., Zhang, Jing, Willoughby, Arthur F. W.

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Volume:

809

Langue:

english

Journal:

MRS Proceedings

DOI:

10.1557/PROC-809-B10.2

Date:

January, 2004

Fichier:

PDF, 80 KB

english, 2004

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