Design optimization of structural parameters in double gate...

Semiconductor Science and Technology 2008 / 05 Vol. 23; Iss. 5

Design optimization of structural parameters in double gate MOSFETs for RF applications

Liang, Jiale, Xiao, Han, Huang, Ru, Wang, Pengfei, Wang, Yangyuan
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Volume:
23
Langue:
english
Journal:
Semiconductor Science and Technology
DOI:
10.1088/0268-1242/23/5/055019
Date:
May, 2008
Fichier:
PDF, 284 KB
english, 2008
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