Variation of lateral doping as a field terminator for...

IEEE Transactions on Electron Devices 1986 Vol. 33; Iss. 3

Variation of lateral doping as a field terminator for high-voltage power devices

Stengl, R., Gosele, U., Fellinger, C., Beyer, M., Walesch, S.
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Volume:
33
Année:
1986
Langue:
english
Pages:
3
DOI:
10.1109/t-ed.1986.22505
Fichier:
PDF, 420 KB
english, 1986
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