GaN-based HEMTs tested under high temperature storage test

Microelectronics Reliability 2011 Vol. 51; Iss. 9-11

GaN-based HEMTs tested under high temperature storage test

D. Marcon, X. Kang, J. Viaene, M. Van Hove, P. Srivastava, S. Decoutere, R. Mertens, G. Borghs
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Volume:
51
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/j.microrel.2011.06.062
Fichier:
PDF, 577 KB
english, 2011
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