A study of the effect of degradation of the aluminium...

Microelectronics Reliability 2011 Vol. 51; Iss. 9-11

A study of the effect of degradation of the aluminium metallization layer in the case of power semiconductor devices

S. Pietranico, S. Lefebvre, S. Pommier, M. Berkani Bouaroudj, S. Bontemps
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Volume:
51
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/j.microrel.2011.06.009
Fichier:
PDF, 1.27 MB
english, 2011
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