Campagne de collecte 15 septembre 2024 – 1 octobre 2024 C'est quoi, la collecte de fonds?

Diode lasers emitting at 1190 nm with a highly strained...

Semiconductors 2011 / 09 Vol. 45; Iss. 9

Diode lasers emitting at 1190 nm with a highly strained GaInAs quantum well and GaAsP compensating layers MOCVD-grown on a GaAs substrate

D. A. Vinokurov, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, A. D. Bondarev, N. A. Rudova, I. S. Tarasov
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
45
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1134/s1063782611090260
Date:
September, 2011
Fichier:
PDF, 144 KB
english, 2011
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué