Volume 51; Issue 15

Applied Physics Letters

Volume 51; Issue 15
5

Electronic properties of sol-gel-derived oxides on silicon

Année:
1987
Langue:
english
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english, 1987
6

Defect annihilation in shallow p+ junctions using titanium silicide

Année:
1987
Langue:
english
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english, 1987
8

High-speed diffusion-driven photodetector

Année:
1987
Langue:
english
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PDF, 469 KB
english, 1987
9

Influence of microstructure on the Urbach edge of amorphous SiC:H and amorphous SiGe:H alloys

Année:
1987
Langue:
english
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english, 1987
10

Interface structure and lattice mismatch of epitaxial CoSi2 on Si(111)

Année:
1987
Langue:
english
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english, 1987
12

Dual implantation of Be+ and F+ in GaAs and AlxGa1−xAs

Année:
1987
Langue:
english
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PDF, 468 KB
english, 1987
13

Photon-controlled oxidation of silicon

Année:
1987
Langue:
english
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PDF, 569 KB
english, 1987
14

Growth of α-Al2O3 films by molecular layer epitaxy

Année:
1987
Langue:
english
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english, 1987
19

Rapid annealing of Hg1−xCdxTe by immersion in a hot mercury bath

Année:
1987
Langue:
english
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english, 1987