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Volume 126; Issue 1

Journal of Crystal Growth

Volume 126; Issue 1
1

Editorial Board

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993
2

Introduction

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993
3

Advanced X-ray scattering techniques for the characterization of semiconducting materials

Année:
1993
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english
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PDF, 1.40 MB
english, 1993
4

Behaviour of dislocations in GaAs revealed by etch pit technique and X-ray topography

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993
5

Point-like and extended defects in Si and GaAs

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993
6

Recent progress in the understanding of crystallographic defects in silicon

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993
7

Oxygen precipitates in short-time annealed Czochralski silicon

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993
9

Nonstoichiometry fluctuations along striations in undoped semi-insulating GaAs

Année:
1993
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english
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english, 1993
10

Study of microdefects in GaAs by X-ray diffuse scattering

Année:
1993
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english
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english, 1993
11

Recent developments in the study of bulk GaAs properties by electron microscopy

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993
13

Investigation of crystal defects in III–V heterostructures by X-ray topography and electron microscopy

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993
14

Mechanisms of strain relaxation in III–V semiconductor heterostructures

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993
17

Electro-optic properties of InGaAs/InP multi-quantum well PIN structures

Année:
1993
Langue:
english
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english, 1993