A new MOD method to prepare Sr0.7Bi2.2Ta2O9 ferroelectric...

Microelectronics Reliability 2000 Vol. 40; Iss. 4-5

A new MOD method to prepare Sr0.7Bi2.2Ta2O9 ferroelectric films for non-volatile RAM memories

P Tejedor, A.B Fernández, R Jiménez, C Alemany, J Mendiola
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Volume:
40
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/s0026-2714(99)00324-8
Fichier:
PDF, 147 KB
english, 2000
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