Electrically active defects generated by MERIE and RIE-mode...

Microelectronics Reliability 2000 Vol. 40; Iss. 3

Electrically active defects generated by MERIE and RIE-mode plasmas in thin SiO2-Si structures

E. Atanassova, A. Paskaleva
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Volume:
40
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
45
DOI:
10.1016/s0026-2714(99)00242-5
Fichier:
PDF, 1.21 MB
english, 2000
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