Use of electrical stress and isochronal annealing on power...

Microelectronics Reliability 2000 Vol. 40; Iss. 8-10

Use of electrical stress and isochronal annealing on power MOSFETs in order to characterize the effects of 60Co irradiation

C. Picard, C. Brisset, A. Hoffmann, J.-P. Charles, F. Joffre, L. Adams, A. Holmes Siedle
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Volume:
40
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/s0026-2714(00)00182-7
Fichier:
PDF, 551 KB
english, 2000
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