On the electron mobility enhancement in biaxially strained...

Solid-State Electronics 2008 Vol. 52; Iss. 4

On the electron mobility enhancement in biaxially strained Si MOSFETs

F. Driussi, D. Esseni, L. Selmi, P.-E. Hellström, G. Malm, J. Ha˚llstedt, M. Östling, T.J. Grasby, D.R. Leadley, X. Mescot
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Volume:
52
Année:
2008
Langue:
english
Pages:
8
DOI:
10.1016/j.sse.2007.10.033
Fichier:
PDF, 203 KB
english, 2008
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