CMOS 6-T SRAM cell design subject to “atomistic”...

Solid-State Electronics 2007 Vol. 51; Iss. 4

CMOS 6-T SRAM cell design subject to “atomistic” fluctuations

B. Cheng, S. Roy, A. Asenov
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Volume:
51
Année:
2007
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1016/j.sse.2007.02.009
Fichier:
PDF, 1.61 MB
english, 2007
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