Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using...

Superlattices and Microstructures 2006 Vol. 40; Iss. 4-6

Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and nitrogen

C. Sartel, S. Gautier, S. Ould Saad Hamady, N. Maloufi, J. Martin, A. Sirenko, A. Ougazzaden
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Volume:
40
Année:
2006
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1016/j.spmi.2006.09.026
Fichier:
PDF, 735 KB
english, 2006
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