Studies of 4H-SiC wafer and its epitaxial layers grown by...

Physica B: Condensed Matter 2007 Vol. 391; Iss. 1

Studies of 4H-SiC wafer and its epitaxial layers grown by chemical vapor deposition

Kodigala Subba Ramaiah, I. Bhat, T.P. Chow, J.K. Kim, E.F. Schubert, D. Johnstone
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
391
Année:
2007
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1016/j.physb.2006.08.051
Fichier:
PDF, 1.40 MB
english, 2007
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué