Gate-controlled field-effect diodes and silicon-controlled...

Microelectronics Reliability 2011 Vol. 51; Iss. 4

Gate-controlled field-effect diodes and silicon-controlled rectifier for charged-device model ESD protection in advanced SOI technology

Shuqing Cao, Jung-Hoon Chun, Akram A. Salman, Stephen G. Beebe, Robert W. Dutton
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Volume:
51
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
9
DOI:
10.1016/j.microrel.2010.11.013
Fichier:
PDF, 1.83 MB
english, 2011
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