Study of stress-induced leakage current (SILC) in...

Microelectronics Reliability 2009 Vol. 49; Iss. 1

Study of stress-induced leakage current (SILC) in HfO2/Dy2O3 high-κ gate stacks on germanium

M.S. Rahman, E.K. Evangelou, I.I. Androulidakis, A. Dimoulas
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
49
Année:
2009
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/j.microrel.2008.10.005
Fichier:
PDF, 450 KB
english, 2009
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué