RIE etching of deep trenches in Si using CBrF3 and SF6...

Microelectronic Engineering 1987 Vol. 6; Iss. 1-4

RIE etching of deep trenches in Si using CBrF3 and SF6 plasma

A.M. Krings, K. Eden, H. Beneking
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Volume:
6
Année:
1987
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/0167-9317(87)90087-6
Fichier:
PDF, 303 KB
english, 1987
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