Integration of hafnium oxide on epitaxial SiGe for p-type...

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IEEE Electron Device Letters 2020

Integration of hafnium oxide on epitaxial SiGe for p-type ferroelectric FET application

Lederer, Maximilian, Muller, Franz, Kuhnel, Kati, Olivo, Ricardo, Mertens, Konstantin, Trentzsch, Martin, Dunkel, Stefan, Muller, Johannes, Beyer, Sven, Seidel, Konrad, KCmpfe, Thomas, Eng, Lukas M.
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Année:
2020
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/led.2020.3031308
Fichier:
PDF, 692 KB
2020
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