Dark current and 1/f noise characteristics of...

Infrared Physics & Technology 2020 / 09 Vol. 109

Dark current and 1/f noise characteristics of In0.74Ga0.26As photodiode passivated by SiNx/Al2O3 bilayer

Wan, Luhong, Shao, Xiumei, Ma, Yingjie, Deng, Shuangyan, Liu, Yage, Cheng, Jifeng, Gu, Yi, Li, Tao, Li, Xue
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Volume:
109
Journal:
Infrared Physics & Technology
DOI:
10.1016/j.infrared.2020.103389
Date:
September, 2020
Fichier:
PDF, 1.59 MB
2020
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