High mobility conducting channel at semi-insulating...

Journal of Applied Physics 2020 / 05 Vol. 127; Iss. 17

High mobility conducting channel at semi-insulating GaAs–metal oxide interfaces

Kopnov, G., Gerber, A.
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Volume:
127
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/5.0001568
Date:
May, 2020
Fichier:
PDF, 888 KB
2020
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