MOS Characteristics of C-Face 4H-SiC

Journal of Electronic Materials 2010 / 05 Vol. 39; Iss. 5

MOS Characteristics of C-Face 4H-SiC

Z. Chen, A.C. Ahyi, X. Zhu, M. Li, T. Isaacs-Smith, J.R. Williams, L.C. Feldman
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Volume:
39
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1007/s11664-010-1096-5
Date:
May, 2010
Fichier:
PDF, 326 KB
english, 2010
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