Bias and geometry dependence of total-ionizing-dose effects...

Semiconductor Science and Technology 2020 / 07 Vol. 35; Iss. 7

Bias and geometry dependence of total-ionizing-dose effects in SOI FinFETs

Ren, Zhexuan, An, Xia, Li, Gensong, Wang, Runsheng, Xu, Nuo, Zhang, Xing, Huang, Ru
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Volume:
35
Journal:
Semiconductor Science and Technology
DOI:
10.1088/1361-6641/ab8538
Date:
July, 2020
Fichier:
PDF, 1.56 MB
2020
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