Vertical‐Tunneling Field‐Effect Transistor Based on...

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Advanced Electronic Materials 2020 / 05

Vertical‐Tunneling Field‐Effect Transistor Based on WSe 2 ‐MoS 2 Heterostructure with Ion Gel Dielectric

Jeon, Hyun Bae, Shin, Gwang Hyuk, Lee, Khang June, Choi, Sung‐Yool
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Journal:
Advanced Electronic Materials
DOI:
10.1002/aelm.202000091
Date:
May, 2020
Fichier:
PDF, 1.49 MB
2020
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