Relaxation kinetics of photoconductivity inр-silicon...

Russian Physics Journal 2009 / 05 Vol. 52; Iss. 5

Relaxation kinetics of photoconductivity inр-silicon compensated by phosphorus atoms

M. Karimov, Sh. Makhkamov, N. A. Tursunov, Sh. A. Makhmudov, K. A. Begmatov, A. K. Karakhodzhaev, A. Kh. Sadikov
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Volume:
52
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1007/s11182-009-9253-0
Date:
May, 2009
Fichier:
PDF, 220 KB
english, 2009
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