In-depth analysis of the static behaviour of a SiC MOSFET...

IET Circuits Devices & Systems 2020 / 03 Vol. 14; Iss. 2

In-depth analysis of the static behaviour of a SiC MOSFET and of its associated parameters using both compact modelling and physical simulation

Jouha, Wadia, El Oualkadi, Ahmed, Dherbécourt, Pascal, Masmoudi, Mohamed, Joubert, Eric
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Volume:
14
Journal:
IET Circuits, Devices & Systems
DOI:
10.1049/iet-cds.2018.5509
Date:
March, 2020
Fichier:
PDF, 9.67 MB
2020
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