Investigation of gating effect in Si spin MOSFET

Applied Physics Letters 2020 / 01 Vol. 116; Iss. 2

Investigation of gating effect in Si spin MOSFET

Lee, Soobeom, Rortais, Fabien, Ohshima, Ryo, Ando, Yuichiro, Goto, Minori, Miwa, Shinji, Suzuki, Yoshishige, Koike, Hayato, Shiraishi, Masashi
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Volume:
116
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.5131823
Date:
January, 2020
Fichier:
PDF, 1.84 MB
english, 2020
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