Improved DC performance and current stability of...

Semiconductor Science and Technology 2020 / 01

Improved DC performance and current stability of ultrathin-Al2O3/InAlN/GaN MOS-HEMTs with post-metallization-annealing process

Ozaki, Shiro, Makiyama, Kozo, Ohki, Toshihiro, Okamoto, Naoya, Kumazaki, Yusuke, Kotani, Junji, Kaneki, Shota, Nishiguchi, Kenya, Nakamura, Norikazu, Hara, Naoki, Hashizume, Tamotsu
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Langue:
english
Journal:
Semiconductor Science and Technology
DOI:
10.1088/1361-6641/ab708c
Date:
January, 2020
Fichier:
PDF, 1.01 MB
english, 2020
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