Hf0.5Zr0.5O2 Based Ferroelectric Gate HEMTs (FeHEMTs) with...

IEEE Electron Device Letters 2020

Hf0.5Zr0.5O2 Based Ferroelectric Gate HEMTs (FeHEMTs) with Large Threshold Voltage Tuning Range

Wu, Chunlei, Ye, Hansheng, Shaju, Nikhita, Smith, Jeffrey, Grisafe, Benjamin, Datta, Suman, Fay, Patrick

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Année:

2020

Langue:

english

Journal:

IEEE Electron Device Letters

DOI:

10.1109/LED.2020.2965330

Fichier:

PDF, 776 KB

english, 2020

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