Effect of Zn doping on structure and ferroelectric...

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2011 / 04 Vol. 22; Iss. 4

Effect of Zn doping on structure and ferroelectric properties of PST thin films prepared by sol–gel method

Zan Zheng, Hongjian Zhao, Wenjian Weng, Gaorong Han, Ning Ma, Piyi Du
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Volume:
22
Langue:
english
Pages:
8
DOI:
10.1007/s10854-010-0141-8
Date:
April, 2011
Fichier:
PDF, 826 KB
english, 2011
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