Electronic transport in n-type modulation-doped...

Semiconductor Science and Technology 2019 / 11

Electronic transport in n-type modulation-doped AlGaAs/GaAsBi quantum well structures: Influence of Bi and thermal annealing on electron effective mass and electron mobility

Donmez, Omer, Aydin, Mustafa, Ardalı, Sukru, Yıldırım, Saffettin, Tiras, Engin, Nutku, Ferhat, Çetinkaya, Çağlar, Çokduygulular, Erman, Puustinen, Janne, Hilska, Joonas, Guina, Mircea, Erol, Ayse
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Journal:
Semiconductor Science and Technology
DOI:
10.1088/1361-6641/ab5d8d
Date:
November, 2019
Fichier:
PDF, 745 KB
2019
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