Robust Impact-Ionization Field-Effect Transistor Based on...

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ACS Nano 2019 / 12

Robust Impact-Ionization Field-Effect Transistor Based on Nanoscale Vertical Graphene/Black Phosphorus/Indium Selenide Heterostructures

Gao, Anyuan, Zhang, Zhiyi, Li, Lingfei, Zheng, Binjie, Wang, Chenyu, Wang, Yaojia, Cao, Tianjun, Wang, Yu, Liang, Shi-Jun, Miao, Feng, Shi, Yi, Wang, Xiaomu
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Langue:
english
Journal:
ACS Nano
DOI:
10.1021/acsnano.9b06140
Date:
December, 2019
Fichier:
PDF, 3.59 MB
english, 2019
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