A Simulation-Based Comparison Between Si and SiC MOSFETs on...

IEEE Transactions on Electron Devices 2019 / 6 Vol. 66; Iss. 6

A Simulation-Based Comparison Between Si and SiC MOSFETs on Single-Event Burnout Susceptibility

Zhou, Xintian, Jia, Yunpeng, Hu, Dongqing, Wu, Yu
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Volume:
66
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
DOI:
10.1109/TED.2019.2908970
Date:
June, 2019
Fichier:
PDF, 1.74 MB
english, 2019
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