Obtaining Atomically Smooth 4H–SiC (0001) Surface by...

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Nanomanufacturing and Metrology 2019 / 6

Obtaining Atomically Smooth 4H–SiC (0001) Surface by Controlling Balance Between Anodizing and Polishing in Electrochemical Mechanical Polishing

Yang, Xu, Yang, Xiaozhe, Sun, Rongyan, Kawai, Kentaro, Arima, Kenta, Yamamura, Kazuya
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Langue:
english
Journal:
Nanomanufacturing and Metrology
DOI:
10.1007/s41871-019-00043-5
Date:
June, 2019
Fichier:
PDF, 1.40 MB
english, 2019
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