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InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region

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Volume:
58
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.7567/1347-4065/ab06b8
Date:
June, 2019
Fichier:
PDF, 834 KB
english, 2019
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