Improved performance of fully-recessed normally-off LPCVD...

Solid-State Electronics 2019 / 06 Vol. 156

Improved performance of fully-recessed normally-off LPCVD SiN/GaN MISFET using N2O plasma pretreatment

Li, Mengjun, Wang, Jinyan, Wang, Hongyue, Cao, Qirui, Liu, Jingqian, Huang, Chengyu
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Volume:
156
Langue:
english
Journal:
Solid-State Electronics
DOI:
10.1016/j.sse.2019.03.067
Date:
June, 2019
Fichier:
PDF, 461 KB
english, 2019
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