Bonding Pad Over Active Area Layout for Lateral AlGaN/GaN...

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IEEE Transactions on Electron Devices 2019

Bonding Pad Over Active Area Layout for Lateral AlGaN/GaN Power HEMTs: A Critical View

Efthymiou, Loizos, Longobardi, Giorgia, Camuso, Gianluca, Udrea, Florin
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Année:
2019
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
DOI:
10.1109/TED.2019.2903441
Fichier:
PDF, 2.35 MB
2019
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