Anomalous behavior of electrically active defects near E...

AIP Advances 2019 / 02 Vol. 9; Iss. 2

Anomalous behavior of electrically active defects near E C −0.5 eV in MOCVD, as-grown GaN

Boturchuk, Ievgen, Scheffler, Leopold, Larsen, Arne Nylandsted, Julsgaard, Brian
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Volume:
9
Langue:
english
Journal:
AIP Advances
DOI:
10.1063/1.5086796
Date:
February, 2019
Fichier:
PDF, 1.22 MB
english, 2019
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