Study of degradation in InGaP/InGaAs/Ge multi-junction...

Study of degradation in InGaP/InGaAs/Ge multi-junction solar cell characteristics due to irradiation-induced deep level traps using finite element analysis

Kotamraju, Siva, Sukeerthi, M., Puthanveettil, Suresh E., Sankaran, M.
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Volume:
178
Langue:
english
Journal:
Solar Energy
DOI:
10.1016/j.solener.2018.12.036
Date:
January, 2019
Fichier:
PDF, 664 KB
english, 2019
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