Effect of Epitaxial-Structure Design and Growth Parameters...

Semiconductors 2018 / 10 Vol. 52; Iss. 10

Effect of Epitaxial-Structure Design and Growth Parameters on the Characteristics of Metamorphic Lasers of the 1.46-μm Optical Range Based on Quantum Dots Grown on GaAs Substrates

Maximov, M. V., Nadtochiy, A. M., Shernyakov, Yu. M., Payusov, A. S., Vasil’ev, A. P., Ustinov, V. M., Serin, A. A., Gordeev, N. Yu., Zhukov, A. E.
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Volume:
52
Langue:
english
Journal:
Semiconductors
DOI:
10.1134/S1063782618100093
Date:
October, 2018
Fichier:
PDF, 1.14 MB
english, 2018
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