Mechanism of Formation of Carbon–Vacancy Structures in...

Mechanism of Formation of Carbon–Vacancy Structures in Silicon Carbide during Its Growth by Atomic Substitution

Kukushkin, S. A., Osipov, A. V.
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
60
Langue:
english
Journal:
Physics of the Solid State
DOI:
10.1134/S1063783418090184
Date:
September, 2018
Fichier:
PDF, 944 KB
english, 2018
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué