Study of direct bandgap type-I GeSn/GeSn double quantum...

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Nanotechnology 2018 / 09

Study of direct bandgap type-I GeSn/GeSn double quantum well with improved carrier confinement

Grant, Perry, Margetis, Joe, Du, Wei, Zhou, Yiyin, Dou, Wei, Abernathy, Grey, Kuchuk, Andrian V, Li, Baohua, Tolle, John, Liu, Jifeng, Sun, Greg, Soref, Richard, Mortazavi, Mansour, Yu, Shui-Qing (Fis
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Langue:
english
Journal:
Nanotechnology
DOI:
10.1088/1361-6528/aadfaa
Date:
September, 2018
Fichier:
PDF, 1.29 MB
english, 2018
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