Wafer-scale all-epitaxial GeSn-on-insulator on Si(1 1 1) by...

Journal of Physics D Applied Physics 2018 / 08 Vol. 51; Iss. 32

Wafer-scale all-epitaxial GeSn-on-insulator on Si(1 1 1) by molecular beam epitaxy

Khiangte, Krista R, Rathore, Jaswant S, Schmidt, J, Osten, H J, Laha, A, Mahapatra, S
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Volume:
51
Langue:
english
Journal:
Journal of Physics D: Applied Physics
DOI:
10.1088/1361-6463/aad176
Date:
August, 2018
Fichier:
PDF, 1.43 MB
english, 2018
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