Transferred-Substrate InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar...

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IEEE Transactions on Electron Devices 2018

Transferred-Substrate InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistor Technology With fmax ~ 0.53 THz

Weimann, Nils G., Johansen, Tom K., Stoppel, Dimitri, Matalla, Matthias, Brahem, Mohamed, Nosaeva, Ksenia, Boppel, Sebastian, Volkmer, Nicole, Ostermay, Ina, Krozer, Viktor, Ostinelli, Olivier, Bologn
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Année:
2018
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
DOI:
10.1109/TED.2018.2854546
Fichier:
PDF, 2.43 MB
english, 2018
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